Издается с 1978 года
в г. Сарове (Арзамас-16) Нижегородской области

РОССИЙСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ
ЯДЕРНЫЙ ЦЕНТР -
ВСЕРОССИЙСКИЙ НИИ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ФИЗИКИ
 
 Русский |  English
О ЖУРНАЛЕ РЕДКОЛЛЕГИЯ ПУБЛИКАЦИОННАЯ ЭТИКА ПРАВИЛА ДЛЯ АВТОРОВ АВТОРЫ АРХИВ ПОСЛЕДНИЙ ВЫПУСК СЛЕДУЮЩИЙ ВЫПУСК СТАТЬЯ ГОДА




Улучшение эксплуатационно-технических характеристик полупроводниковой памяти ЕС-3266

Абрамов Н. Н., Киселев Б. П., Солнцев А. С., Усов В. И.
Вопросы атомной науки и техники. Сер. Методики и программы численного решения задач математической физики 1985. Вып.1. С. 83-84.

      Для повышения надежности полупроводниковой памяти ЭВМ ЕС-3266 была изменена временная диаграмма работы микросхемы К565РУЗА и частота регенерации; выработаны рекомендации по ремонту ОЗУ. Эти мероприятия позволили резко увеличить надежность работы ЕС-3266 и увеличить полезное время работы машины (список лит. - 2 назв.).



 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
[ Возврат ]


 
 
 
© ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", 2000-2024