МЕТОДИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
М. В. Горбатенко, С. С. Дьяков, Д. В. Опасин, Б. Н. Шамраев Вопросы атомной науки и техники. Сер. Математическое моделирование физических процессов 2018. Вып.4. С. 3-18.
Рассмотрены разностные схемы для решения уравнений непрерывности носителей заряда в полупроводниках с целью выбора экономичной схемы для решения многомерных задач воздействия излучения на полупроводники. Описана модификация классической кинетики Шокли–Холла–Рида, сохраняющая заряд при рекомбинации. Проведено сравнение результатов расчетов с аналитическими оценками и экспериментальными данными по пробою (p–n)-перехода (рис. 13, табл. 2, список лит. - 10 назв.). Ключевые слова: статистика носителей заряда, дрейф, диффузия, кинетика рекомбинации, пробой (p–n)-перехода.
Полный текст статьи
|